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國內半導體企業從成本驅動走向技術創新驅動。近十年以來國內半導體企業在產品研發、技術創新方面取得了長足發展，華為海思的麒麟系列處理器（麒麟 970 AI 處理器）、展訊的 2G/3G/4G 通訊基帶芯片、匯頂科技的指紋識別芯片、兆易創新的 NOR flash 和MCU 等。半導體行業研發投入持續增長，研發費用占營收比例與美國的差距在逐步縮小。A 股半導體企業年均研發費用從 2007 年的 1572 萬元增長至 2016 年的 1.59億元，營收占比從 2.8%增長至 8.17%，高于國際上科技企業 5%的研發營收占比，與美國常年處于 10%以上的比例相比，差距在逐漸縮小。考慮到美國半導體企業的營收體量，比如英特爾每年研發投入在 100 億美元左右，從研發投入的絕對值看國內仍然需要持續大規模投入。

2007～2016 年 A 股半導體行業企業年均研發費用及其占平均營收比例持續增長

從 IC 設計頂級會議期刊 ISSCC 看，集成電路設計原始創新持續取得突破。ISSCC（IEEE International Solid-State Circuits Conference）是世界學術界和企業界公認的集成電路設計領域最高級別會議，被譽為 IC 設計領域的世界奧林匹克大會、奧斯卡。每年來自全球最頂尖的工業界和學術界參會，包括英特爾、高通、英偉達等均參加，每年 40%~50%的 ISSCC 論文來自工業界。中國從 2005 年起陸續在 ISSCC 上發表論文，至 2017 年累計有 19 篇入選，論文集中在模擬和處理器方面，其中，清華大學 6篇、復旦大學 6 篇、中科院 3 篇、產業界有 4 篇。持續的研發投入在 IC 設計業結出碩果。2016 年大陸 IC 設計業產值超過臺灣，并且產值同比增速保持在兩位數以上。由于市場需求在大陸，再加上大陸 IC 代工的崛起，臺灣 IC 設計業將逐漸失去競爭力，未來大陸 IC 設計業將在全球嶄露頭角。

2017年上半年中國集成電路產業增速領跑全球，繼續保持強勢增長勢頭。中國半導體行業協會統計，2017年1~6月中國集成電路產業銷售額為2201.3億元，同比增長19.1%。其中，設計業同比增長21.1%，銷售額為830.1億元；制造業增速依然最快達到25.6%，銷售額為571.2億元；封裝測試業銷售額800.1億元，同比增長13.2%。

IC封測行業相對其他環節技術差距最小、規模最大、最先受益全球半導體產業向大陸轉移的環節。2017年全球前十大IC封測業中大陸占3位，其中長電科技通過收購星科金朋之后排名第三，僅次于臺灣日月光和美國的安靠。

排名	公司	2017E	2016	同比增長率	市占率
1	日月光	5207	4896	6.40%	19.20%
2	安靠	4063	3894	4.30%	15.00%
3	長電科技	3233	2874	12.50%	11.90%
4	矽品	2684	2626	2.20%	9.90%
5	力成	1893	1499	26.30%	7.00%
6	天水華天	1056	823	28.30%	3.90%
7	通富微電	910	689	32.00%	3.30%
8	京元電	675	623	8.30%	2.50%
9	聯測	674	689	-2.20%	2.50%
10	南茂	596	568	4.90%	2.20%

伴隨國內智能手機產業崛起和全球電子制造產業向大陸轉移，國內半導體產業進入黃金發展階段。受宏觀經濟復蘇以及 2009 年低基數影響，2010 年半導體板塊個股平均營收和平均歸母凈利潤同比增速出現波峰，隨后在 2011 年回落觸底，并開啟新一輪向上增長。2011~2016 年 A 股半導體個股平均營收不斷增長，同比增速呈加速向上趨勢。A 股半導體板塊中，個股營收平均值從 2007 年的 5.62 億元增長至 2016 年的19.51 億元，CAGR 為 14.84%，個股營收中位數從 2007 年的 4.69 億元增長至 2016 年的10.85 億元，CAGR 為 9.78%。

2011 年~2016 年 A 股半導體個股平均歸母凈利潤持續擴大，同比增速呈向上趨勢。A 股半導體板塊中，個股歸母凈利潤平均值從 2007 年的 4929.99 萬元增長至 2016 年的 1.38 億元，CAGR 為 12.10%，個股歸母凈利潤中位數從 2007 年的 3256.37萬元增長至 2016 年的 9854.94 萬元，CAGR 為 13.09%。

從毛利率和凈利率角度看，2007 年~2016 年 A 股半導體板塊毛利率維持在 20%以上，凈利率處于 6.5%~11.6%。受摩爾定律影響，IC 產品每年均在降價，IC 企業只有持續推出新產品、研發新技術、新工藝，才能維持較為穩定的毛利率。

《2017年政府工作報告》提出2017年重點工作任務，其中包括：1）加快培育壯大新興產業，全面實施戰略性新興產業發展規劃，加快新材料、人工智能、集成電路、5G等技術研發和轉化，做大做強產業集群；2）大力改造提升傳統產業，深入實施《中國制造2025》，加快大數據、云計算、物聯網應用。在IC China論壇上，工信部電子信息司司長刁石京表示：“預計今年全球集成電路市場規模達到4000億美元，作為全球規模最大、增速最快的中國集成電路市場規模也將達到1.3萬億元。工信部將圍繞制造強國、網絡強國戰略，按照《國家集成電路產業發展推進綱要》戰略部署，重點做好四方面工作：一是突出頂層設計，按照供給側結構性改革要求，持續完善18號文、4號文等文件；二是堅持創新驅動戰略，組織實施好國家科技重大專項等，持續加大研發投入力度，突破關鍵核心技術；三是堅持市場需求導向，重視系統架構創新，圍繞智能硬件、智能傳感、智能網聯汽車、智慧醫療等重大需求，加強產業鏈上下游協同；四是深化國際合作。”

國家集成電路產業基金（以下簡稱“大基金”）產業鏈布局成效顯著。成立3年來，大基金所投項目55個，包括40家IC企業，涵蓋集成電路完整產業鏈，總共承諾出資1003億元，承諾投資額占首期募集資金的72%，實際出資額為653億元，約占首期募集資金的50%。在承諾投資額中，IC設計業、制造業、封測業、裝備材料業的投資金額占比分別為17%、65%、10%、8%。我們認為，從產業鏈承載的功能與技術布局的角度看，大基金下一個階段將重點布局IC設計、MEMS、材料與設備、功率半導體等方向。大基金定位長期財務投資者，通過海外收購、二級市場協議轉讓、IPO前增資入股、定增等多種方式精準布局IC產業的戰略標的，形成了國家虛擬“IDM”平臺，幫助眾多企業實現業務轉型升級、并購整合、產業投融資、做大做強等功能。

中國半導體晶圓代工產能缺口大，技術制程相對國外領先企業落后2~3代。2016年全球半導體晶圓代工企業28納米及以下節點占收入的40%。然而國內最先進的代工廠中芯國際僅能實現28納米生產（占營收比例相對較低），14納米技術尚在研發中，仍落后全球領先企業2~3代。

中國IC自主生產量與消耗量差異極大，自給率仍然處于較低水平。中國IC市場自給率在2008年僅為8.7%，2014年為12.8%，預計2018年為16.0%，2018年供需缺口將達到1135億美元。因此國內自2014年《集成電路發展綱要》發布以來，各地陸續新建大量晶圓代工廠，以滿足國內市場需求。

中國半導體制造產能以12英寸為主。截止2016年底，中國在運營的12英寸制造產線合計為11條，產能合計為54萬片/月；在運營的8英寸產線為18條，8英寸產能為67.1萬片/月。據此測算，中國當前半導體制造產能為84萬片/月（以12英寸產能計）。

晶圓	序號	公司	工廠代碼	工藝	設計產能（KW/M）
12英寸	1	SK 海力士	HC 1	20nm CMOS	100
	2	HC 2	20nm CMOS	70	-
	3	英特爾	FAB 68	65~90nm CMOS	40
	4	三星電子	FAB x1	46~25nm CMOS	120
	5	聯芯集成	FAB 12X	55~40nm CMOS	50
	6	華力微	FAB 1	90~45nm CMOS	35
	7	武漢新芯	FAB 1	90~65nm CMOS	25
	8	中芯國際	FAB B1 (FAB 4)	90~55nm CMOS	45
	9		FAB B1 (FAB 6)	90~55nm CMOS	-
	10		FAB B2A	45~28nm CMOS	35
	11		FAB S2 (B)	0.35μm~28nm CMOS	20
8英寸	1	德州儀器	CFAB	0.35~0.18μm Analog	50
	11	中車時代	FAB 3	0.35μm DMOS	10
	10	臺積電	FAB 10	0.25~0.13μm CMOS	100
	2	和艦科技	FAB 1P1	0.5~0.13μm CMOS	65
	3	和艦科技	FAB 1P2	0.5~0.13μm CMOS	-
	12	中航微電子	FAB 1	0.35~0.18μm CMOS	40
	4	華虹宏力	FAB 1	1.0~0.13μm CMOS	164
	5		FAB 1C	MEMS
	6		FAB 2	0.35μm CMOS
	7		FAB 3	0.25μm~90nm CMOS
	8	華潤上華	FAB 2	0.5~0.13μm CMOS	60
	9	上海先進	FAB 3	0.25μm CMOS	16
	13	中芯國際	FAB 15	0.35~0.15μm CMOS	20
	14		FAB 7	0.35~0.15μm CMOS	43
	15		FAB S1 (FAB 1)	0.35~0.11μm CMOS	100
	16		FAB S1 (FAB 2)	0.35~0.11μm CMOS	-
	17		FAB S1 (FAB 3)	0.35~0.11μm CMOS	-
	18		FAB 9	0.18~0.13μm MEMS	3

國內新建多座晶圓制造產能，“十三五”期間將陸續投產。全球將于2017-2020年間投產62座半導體晶圓廠，其中26座設于中國大陸，占全球總數的42%。我們認為，在巨大的芯片供需缺口、國家政策/地方政府的持續引導、產業資本的積極投入背景下，“十三五”期間，國內半導體晶圓制造廠建設將直接帶動國內半導體材料、設備的發展。截至2016年底，中國在建的12英寸晶圓產線有11條，在建產線產能合計為58萬片/月（其中包括24萬片/月的存儲器產能），擬建的12英寸產線有10條，擬建產線合計產能為50萬片/月。假設上述在建的和擬建的12寸產線順利投產，2020年中國將新增超過100萬片/月的12英寸產能。

序號	晶圓尺寸	公司	工廠代碼	工藝	產能（KW/M）
1	300mm	德科碼	FAB 1	CMOS	20
2	300mm	華力微	FAB 2	CMOS	40
3	300mm	晉華集成	FAB 1	CMOS	60
4	300mm	晶合集成	FAB 1	CMOS	40
5	300mm	武漢新芯	FAB 2	CMOS	200
6	300mm	中芯國際	FAB 16	CMOS	40
7	300mm	中芯國際	FAB B2B	CMOS	35
8	300mm	中芯國際	FAB B3	CMOS	35
9	300mm	中芯國際	FAB SN1	CMOS	70
10	300mm	臺積電	FAB NJ	CMOS	20
11	300mm	格芯	FAB 11-1	CMOS	20

序號	晶圓尺寸	公司	工廠代碼	工藝
1	300mm	安積電	FAB 1	CMOS
2	300mm	德科碼	FAB 3	CMOS
3	300mm	合肥長鑫	FAB 1	CMOS
4	300mm	萬國半導體	FAB 2	BCDMOS
5	300mm	中芯國際	FAB N2	CMOS
6	300mm	中芯國際	FAB N3	CMOS
7	300mm	中芯國際	FAB SN2	CMOS
8	300mm	紫光	FAB NJ	CMOS
9	300mm	紫光	FAB CD	CMOS
10	300mm	格芯	FAB 11-2	SOI

在 2017 年至 2022 年期間，因智能手機搭載 IC 數量增加與對先進制程需求提升，加上包括 IoT、AR/VR、汽車電子、高效能計算市場有望在未來 5 年進入成長期，預測 2017 年全球代工增長 6%，達到 557 億美元，到 2022 年時將達 746.6 億美元，2017 年至 2022 年復合成長率(CAGR)將為 6%。2017 年臺積電預估增長7%以及其在全球半導體晶圓代工市場的市占率達 56%。

隨著摩爾定律演進速度放緩，集成電路產業發展將從技術驅動走向應用驅動。2017年 ISSCC 的主題是 Intelligent Chips for A Smart World，從中可以看出物聯網和人工智能是集成電路未來的發展方向。未來半導體新增長點主要來自：物聯網、智能汽車、VR/AR、5G、人工智能等應用。

2017年中國半導體行業發展現狀及發展趨勢分析